我国科研团队在MLCC辐射效应研究中取得突破性进展

　　中新网成都11月6日电 (记者 刘忠俊)记者11月6日从中国工程物理研究院电子工程研究所获悉，国科该院联合微系统太赫兹研究中心牵头，研团应研携手四川大学、射效西安交通大学，究中在多层陶瓷电容器(MLCC)的突破辐射效应研究领域取得重大突破。

　　据了解，性进该科研团队首次发现并系统揭示了MLCC在持续辐照环境下的国科低剂量率损伤增强效应(ELDRS)及损伤机制，彻底颠覆了“陶瓷电容器无辐射敏感性”的研团应研传统认知。目前，射效相关研究成果已发表于国际权威学术期刊《自然·通讯》(Nature Communications)。究中

　　作为电子系统中的突破核心基础元件，MLCC长期被认为具备较强的性进辐射耐受性。但随着器件向微型化方向发展、国科介质层厚度不断减薄，研团应研其内部承受的射效电场强度持续增大，辐射引发的材料缺陷及性能演化问题也日益突出。

　　通过开展原位辐照实验，科研团队首次明确证实了MLCC在伽马射线持续作用下的电容退化现象，并发现该器件存在显著的ELDRS效应——即相较于高剂量率辐照，低剂量率辐照下器件的损伤程度更为严重。

　　此外，该研究还首次揭示了辐照停止后MLCC出现的“阶跃恢复效应”，为深入理解航空航天、核工业等特殊辐射环境中电子器件的性能退化规律提供了全新视角，也为后续抗辐射MLCC的设计与制备奠定了理论基础。(完)